რადიაციული დეფექტების ჩასახვისა და მოწვის პროცესების თავისებურებანი მონოკრისტალურ n-Si+4ატ.%Ge:P შენადნობში
შესწავლილია 60Co გამა-ფოტონებით დასხივების გავლენა მაღალი კონცენტრაციით გერმანიუმის შემცველ მონოკრისტალურ n-Si+4ატ.%Ge:P შენადნობში რადიაციული დეფექტების ჩასახვისა და იზოქრონულად მოწვების პროცესებზე. საცდელი მოცულობითი კრისტალები მიღებულია ჩოხრალსკის მეთოდით არგონის ატმოსფეროში. ელექტროფიზიკური მახასიათებლები განსაზღვრული იქნა მუდმივ მაგნიტურ ველში ჰოლის კოეფიციენტის გაზომვებით 20-400°C ტემპერატურულ ინტერვალში 20-წუთიანი იზოქრონული მოწვების სხვადასხვა ეტაპზე. დადგენილია, რომ საცდელი SiGe შენადნობის კრისტალურ მესერში გერმანიუმის ატომებთან ლოკალიზებული შემკუმშავი ძაბვების გავლენით ადგილი აქვს რადიაციული A-ცენტრების (VO) მოწვის ტემპერატურის შემცირებას. გამოვლენილია რადიაციული E-ცენტრების (PV) დისოციაციის ტემპერატურის ცვლილება, განპირობებული მათი მიმართული მიგრაციით დისლოკაციებთან ლოკალიზებული ძაბვების ველში.
Downloads
Metrics
Londos C. A., Sgourou E. N., Hall D., Chroneos A., Vacancy-oxygen defects in silicon: the impact of isovalent doping, J. Mater Sci: Mater Electron, 2014, № 25, p.2395–2410.
Londos C.A., Andrianakis A., Emtsev V., Ohyama H., Radiation-induced defects in Czochralski-grown silicon containing carbon and germanium, Semicond. Sci. Technol., 2009, vol. 24, № 075002, p.1-7.
Chroneos A., Sgourou E. N., Londos C. A., Schwingenschlögl U., Oxygen defect processes in silicon and silicon germanium, Applied Physics Reviews, 2015, № 2, p.021306-1 – 021306-16.
ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .
