საკვანძო სიტყვები
γ-რადიაცია
n-p კონვერსია
რადიაციული დეფექტი
იზოქრონული მოწვა
როგორ უნდა ციტირება
ანოტაცია
შესწავლილია 60Co გამა-ფოტონებით დასხივებული მონოკრისტალური n-Si+0.4ატ%Ge:P შენადნობში ელექტროფიზიკური თვისებები. იზოქრონული მოწვების 20-400°C ტემპერატურულ ინტერვალში გამოვლენილია კუთრი ელექტრული წინაღობის, დენის მატარებლების კონცენტრაციისა და ძვრადობის არამონოტონური ცვლილებები. გაანალიზებულია რადიაციული დეფექტების (PV, VO, VO2, CiCs და CiOi) სტრუქტურაში მიმდინარე გარდაქმნების წვლილი ელექტრული მახასიათებლების ტემპერატურულ ცვლილებებში. იზოქრონული მოწვის კრიტიკული ტემპერატურის (~100°C) არეში გამოვლენილია n-p კონვერსია. 120-150°C ინტერვალში გამოვლინდა PV ცენტრების დისოციაცია და ელექტრულად აქტიური VO ცენტრების ფორმირება. აღნიშნულის შედეგად იზრდება დენის მატარებლების კონცენტრაცია. ამაღლებულ ტემპერატურებზე (T≥150°C) ელექტრული მახასიათებლები განიცდიან არამონოტონურ ცვლილებებს. გაანალიზებულია გერმანიუმის წვლილი n-SiGe შენადნობის ელექტროფიზიკური მახასიათებლების ანომალურ ტემპერატურულ ცვლილებებში.
წყაროები
Ruzin A., Marunko S., Gusakov Y., J. App. Phys., 2004, vol. 95, Jss. 9, p.5081-5087.
Ruzin A., Marunko S., Abrosimov N.V., Riemann H., Nucl. Instrum. Methods, Phys., Res. Sect., A 2004, vol. 518, Jss. 1-2, p.373-375.
Erko A., Abrosimov N.V., Alex S.V., J. Crystal Res., Techn., 2002, vol. 37, N 7, p.685-704.
Londos C.A., Sgourou E.N., Hall D., Chroneos. J. Mater. Sci.: Mater Electron (2014) 25, p.2395-2410.
Londos C.A., Sgourou E.N., Hall D., Chroneos. J. Mater. Sci.: Mater Electron (2014) 25, p.2395-2410.
Londos, C. A., Angeletos T., Antonaras G.D.,Potsidi M.S., Infrared spectroscopy studies of localized vibrations in neutron irradiated silicon. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, (2019), doi:10.1007/s10854-019-01909-6.
ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .