ინდენტირებით ინდუცირებული სტრუქტურული ცვლილებები ელექტრონებით დასხივებულ ბორით დოპირებულ სილიციუმში
PDF (English)

საკვანძო სიტყვები

p-ტიპის სილიციუმი
მაღალენერგეტიკული ელექტრონები
ვიკერსის ინდენტორი
დრეკადობის მოდული
საკონტაქტო წნევა
ელექტროწინაღობა
ხვრელების ძვ

როგორ უნდა ციტირება

დარსაველიძე გ., შამათავა კ., სიჭინავა ა., ქადარია მ., & აბრამიშვილი რ. (2023). ინდენტირებით ინდუცირებული სტრუქტურული ცვლილებები ელექტრონებით დასხივებულ ბორით დოპირებულ სილიციუმში. ქართველი მეცნიერები, 5(3), 43–53. https://doi.org/10.52340/2023.05.03.06

ანოტაცია

   განხორციელებულია მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივებული ბორით ლეგირებული მონოკრისტალური  სილიციუმის (111) კრისტალოგრაფიული ორიენტაციის ფუძეშრეების მიკროსტრუქტურის, ელექტროფიზიკური თვისებებისა და ულტრამიკროინდენტირების პროცესებში სტრუქტურული ფაზური გარდაქმნების კომპლექსური კვლევა. ნაჩვენებია, რომ p-Si-ის (111) სიბრტყეებზე 1013 სმ-2 ფლუენსის 12მევ ენერგიის ელექტრონებით დასხივება იწვევს კუთრი ელექტროწინაღობის 3 -ჯერ და დენის მატარებელი ხვრელების ძვრადობის 20%-ით შემცირებას. მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივებული ნიმუშების ინფრაწითელი გამოსხივების შთანთქმის სპექტრში გამოვლენილია ჟანგბადისა და ნახშირბადის კონცენტრაციის 2.5-3-ჯერ შემცირება. საკვლევი ნიმუშების ელექტრონებით დასხივებული (111) სიბრტყეებზე ვიკერსის ინდენტორით ინდენტირების პროცესებში დატვირთვა-გადაადგილების გაზომვებით ნაჩვენებია დრეკადობის მოდულისა და სილიციუმის არასტაბილურ ფაზებში გარდაქმნების მახასიათებელი საშუალო საკონტაქტო წნევის სუსტი ზრდა. განხილულია ბორით დოპირებულ სილიციუმში ელექტრონული რადიაციით მოდიფიცირებული დისლოკაციების ატმოსფეროების წვლილი ელექტროფიზიკური თვისებებისა და ინდენტაციის პროცესებში განხორციელებულ  სტრუქტურულ-ფაზური ცვლილებების მახასიათებლებში. გაანალიზებულია მონოკრისტალურ p-Si : B ნიმუშებში ელექტრონების რადიაციით ინდუცირებული დისლოკაციური სტრუქტურის ატმოსფეროების მოდიფიცირებასთან დაკავშირებული დინამიური მექანიკური და ელექტროფიზიკური თვისებების ვარიაციის მიზეზები.

https://doi.org/10.52340/2023.05.03.06
PDF (English)

წყაროები

G.Ge., V.Domnich., Y. Gogotsi J.Appl Phys., 93, [2003], 2418-2423

Li Chang, Liangchi Zhang. J. Mater Sci. and Engineering, A506 (2009), 125-129.

C.R.Das, S.Dhara, Yeau-Ren Yeng, J.Appl. Phys. Letters, 96. (2010), 253113-1-25313-

A.Kailer, Y.G.Gogotsi, and K.G.Nickel. J.Appl. Phys. 81,7, (1997), 3057-3063.

T.Juliano, V.Domnich, and Y.Gogotsi, J.Mater Res., vol. 19, No 10 (2004), 3099-3108.

L.Chang, L.C.Zhang. J.Acta Materialia, 57 (2009), 2148-2153.

T.Juliano, Y.Gogotsi, and V.Domnich. J.Mater Res., Vol.18, No5 (2003), 1192-1201.

W.C.Oliver and G.M.Pharr. J.Mater. Res., 7. (1992), 1564-1583.

N.V.Novikov, S.N.Dub, Y.V.Milman, Y.V.Gridneva, and S,Y.Chugunova. J.Superhard.

Mater, Vol.18, No 32 (19960, 1009-1017.

R.F.Cook. J.Mater.Sci. 41 (2006), 841-872.

S.Wang, B.Haberl, Y.S.Williams, and I.E.Bradby.J.Appl.Phys.Letters, 106, 252.103 (2015)

V.Domnich and Y.Gogotsi. J App. Phys.Letters, V.76, N16 (2000), 2214-2218

Creative Commons License

ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .

საავტორო უფლებები (c) 2023 ქართველი მეცნიერები

Downloads

Download data is not yet available.

Metrics

Metrics Loading ...