ალფა ნაწილაკებით დასხივების გავლენა p-ტიპის Si+2ატ.%Ge შენადნობის ფუძეშრის p-n სტრუქტურის ელექტრულ მახასიათებლებზე
შესწავლილია p-ტიპის ელექტროგამტარობის მონოკრისტალური Si+2ატ.%Ge შენადნობის (111) კრისტალოგრაფიული ორიენტაციის ფუძეშრეზე ფორმირებული p-n სტრუქტურის ელექტროფიზიკური და ვოლტ-ამპერული თვისებები სხვადასხვა ფლუენსის ალფა ნაწილაკებით დასხივებულ მდგომარეობაში. საწყის და ალფა ნაწილაკებით დასხივებულ მდგომარეობებში გამოკვლეულია ექსპერიმენტული p-n სტრუქტურის ელექტრული მახასიათებლების ცვლილებათა კანონზომიერებანი. ნაჩვენებია, მოკლე ჩართვის დენისა და ფოტოელექტრული გარდაქმნის ეფექტურობის მნიშვნელოვანი, ხოლო შევსების ფაქტორისა და უქმე სვლის ძაბვის სუსტი ვარდნა ალფა ნაწილაკების დასხივების ფლუენსის ამაღლების პირობებში. გაანალიზებულია ალფა რადიაციის გავლენით p-n სტრუქტურის ელექტრული მახასიათებლების დეგრადაციის მექანიზმები. გამოთქმულია მოსაზრება, რომ მოკლე ჩართვის დენისა და ფოტოელექტრული გარდაქმნის ეფექტურობის მნიშვნელოვანი ვარდნა განპირობებულია დენის არაძირითადი მატარებლების სიცოცხლის ხანგრძლივობის შესაძლებელი შემცირებით. გაანალიზებულია გერმანიუმის ატომებთან ლოკალიზებული დეფორმაციის, დისლოკაციების გარემომცველი მინარევი-რადიაციული დეფექტის ატმოსფეროს სივრცული განაწილების, ელექტრული აქტიურობისა და მდგრადობის წვლილი Si+2ატ.%Ge შენადნობის ფუძეშრეზე შექმნილი p-n სტრუქტურის ელექტროფიზიკური მახასიათებლების ფორმირებაში.
Downloads
Metrics
No metrics found.
P. Rupnowski, B. Sopori. Strength of silicon wafers: fracture mechanics approach. International Journal of Fracture 155, 67–74 (2009). https://doi.org/10.1007/s10704-009-9324-9
Jiahe Chen, Deren Yang, Xiangyang Ma, Zhidan Zeng, Daxi Tian, Liben Li, Duanlin Que, Longfei Gong. “Influence of Germanium Doping on the Mechanical Strength of Czochralski Silicon Wafers.” Journal of Applied Physics 103 (12) 123521-1 - 123521-6 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2943272
Xuegong Yu, Peng Wang, Deren Yang. Effect of germanium on the kinetics of boron-oxygen defect generation and dissociation in Czochralski silicon. Applied Physics Letters, 97(16), 162107-1 – 162107-3 (2010) https://doi.org/10.1063/1.3505499
Deren Yang, Jiahe Chen, Hong Li, Xiangyang Ma, Daxi Tian, Liben Li, Duanli Que. Micro-defects in Ge-doped Czochralski grown Si crystals. Journal of Crystal Growth, 292(2), 266-271 (2006). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.04.022
Davud Mostafa Tobnaghi, Ali Rahnamaei, and Mina Vajdi. Experimental Study of Gamma Radiation Effects on the Electrical Characteristics of Silicon Solar Cells. International Journal of Electrochemical Science 9 (6): 2824-2831 (2014).
Khumar Ali, Sohail A. Khan, M. Z. Matjafri, ⁶⁰Co γ-irradiation effects on electrical characteristics of monocrystalline silicon solar cell. International Journal of Electrochemical Science, 8, 7831-7841 (2013). Retrieved from http://www.electrochemsci.org
J. Kuendig, M. Goetz, A. Shah, E. Fernandez. Thin film silicon solar cells for space applications: Study of proton irradiation and thermal annealing effects on the characteristics of solar cells and individual layers. Journal of Solar Energy Materials and Solar Cells, 79(4), 425-438 (2003). https://doi.org/10.1016/S0927-0248(02)00486-5
საავტორო უფლებები (c) 2025 ქართველი მეცნიერები
ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .
