ინდენტირებით ინდუცირებული სტრუქტურული ცვლილებები ელექტრონებით დასხივებულ ბორით დოპირებულ სილიციუმში
ჩამოტვირთვები
განხორციელებულია მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივებული ბორით ლეგირებული მონოკრისტალური სილიციუმის (111) კრისტალოგრაფიული ორიენტაციის ფუძეშრეების მიკროსტრუქტურის, ელექტროფიზიკური თვისებებისა და ულტრამიკროინდენტირების პროცესებში სტრუქტურული ფაზური გარდაქმნების კომპლექსური კვლევა. ნაჩვენებია, რომ p-Si-ის (111) სიბრტყეებზე 1013 სმ-2 ფლუენსის 12მევ ენერგიის ელექტრონებით დასხივება იწვევს კუთრი ელექტროწინაღობის 3 -ჯერ და დენის მატარებელი ხვრელების ძვრადობის 20%-ით შემცირებას. მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივებული ნიმუშების ინფრაწითელი გამოსხივების შთანთქმის სპექტრში გამოვლენილია ჟანგბადისა და ნახშირბადის კონცენტრაციის 2.5-3-ჯერ შემცირება. საკვლევი ნიმუშების ელექტრონებით დასხივებული (111) სიბრტყეებზე ვიკერსის ინდენტორით ინდენტირების პროცესებში დატვირთვა-გადაადგილების გაზომვებით ნაჩვენებია დრეკადობის მოდულისა და სილიციუმის არასტაბილურ ფაზებში გარდაქმნების მახასიათებელი საშუალო საკონტაქტო წნევის სუსტი ზრდა. განხილულია ბორით დოპირებულ სილიციუმში ელექტრონული რადიაციით მოდიფიცირებული დისლოკაციების ატმოსფეროების წვლილი ელექტროფიზიკური თვისებებისა და ინდენტაციის პროცესებში განხორციელებულ სტრუქტურულ-ფაზური ცვლილებების მახასიათებლებში. გაანალიზებულია მონოკრისტალურ p-Si : B ნიმუშებში ელექტრონების რადიაციით ინდუცირებული დისლოკაციური სტრუქტურის ატმოსფეროების მოდიფიცირებასთან დაკავშირებული დინამიური მექანიკური და ელექტროფიზიკური თვისებების ვარიაციის მიზეზები.
Downloads
G.Ge., V.Domnich., Y. Gogotsi J.Appl Phys., 93, [2003], 2418-2423
Li Chang, Liangchi Zhang. J. Mater Sci. and Engineering, A506 (2009), 125-129.
C.R.Das, S.Dhara, Yeau-Ren Yeng, J.Appl. Phys. Letters, 96. (2010), 253113-1-25313-
A.Kailer, Y.G.Gogotsi, and K.G.Nickel. J.Appl. Phys. 81,7, (1997), 3057-3063.
T.Juliano, V.Domnich, and Y.Gogotsi, J.Mater Res., vol. 19, No 10 (2004), 3099-3108.
L.Chang, L.C.Zhang. J.Acta Materialia, 57 (2009), 2148-2153.
T.Juliano, Y.Gogotsi, and V.Domnich. J.Mater Res., Vol.18, No5 (2003), 1192-1201.
W.C.Oliver and G.M.Pharr. J.Mater. Res., 7. (1992), 1564-1583.
N.V.Novikov, S.N.Dub, Y.V.Milman, Y.V.Gridneva, and S,Y.Chugunova. J.Superhard.
Mater, Vol.18, No 32 (19960, 1009-1017.
R.F.Cook. J.Mater.Sci. 41 (2006), 841-872.
S.Wang, B.Haberl, Y.S.Williams, and I.E.Bradby.J.Appl.Phys.Letters, 106, 252.103 (2015)
V.Domnich and Y.Gogotsi. J App. Phys.Letters, V.76, N16 (2000), 2214-2218
საავტორო უფლებები (c) 2023 ქართველი მეცნიერები
ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .
