რელაქსაციური შინაგანი ხახუნის თავისებურებანი 60Co გამა ფოტონებით დასხივებულ მონოკრისტალურ SiGe:P შენადნობებში
DOI:
https://doi.org/10.52340/gs.2024.06.01.23Keywords:
SiGe შენადნობები, გამა რადიაცია, რელაქსაცია, დისლოკაციური სტრუქტურა, აქტივაციის ენერგია, ძვრის მოდულიAbstract
5.1016 სმ-2 ფლუენსის 60Co გამა ფოტონებით დასხივებული Si+1,5ატ.%Ge:P (1015სმ-3) მონოკრისტალური შენადნობის შინაგანი ხახუნის ტემპერატურულ სპექტრში გრეხითი რხევების 1 ჰც სიხშირის დიაპაზონში გამოვლენილია რადიაციული დეფექტებისა და დისლოკაციების ურთიერთქმედებით განპირობებული რელაქსაციური პროცესი. ექსპერიმენტულად დადგენილია დეფორმაციული წარმოშობის რელაქსაციური შინაგანი ხახუნის მაქსიმუმების აქტივაციის ენერგიისა და ძვრის დინამიური მოდულის ზრდის ტენდენცია. ძვრის მოდულის აბსოლუტური მნიშვნელობის ზრდისა და ზიგზაგისებური ტემპერატურული ცვლილებების საფუძველზე ნაჩვენებია თერმული და რადიაციული დეფექტებით გარემოცული დისლოკაციების ძვრადობის მართვის შესაძლებლობები. გაანალიზებულია რადიაციული დეფექტების წვლილი საცდელი ნიმუშის რადიაციულ განმტკიცებაში. ნაშრომში მიღებული შედეგები შესაძლებელია გათვალისწინებული იქნას ტექნოლოგებისა და კონსტრუქტორების მიერ SiGe შენადნობების საფუძველზე განსაზღვრული ფიზიკურ-მექანიკური მახასიათებლების მასალებისა და ხელსაწყოების დამუშავებასა და შექმნაში.
Downloads
References
K.Kinoshita, Y.Arai, T. Maeda, O.Nakatsuka. Si1-xGex bulk single crsyatls for substrates of electronic devices. J. Materials Science in Semiconductor Processing. 70 (2017) pp.12-17. doi: 10.1016/j.mssp.2016.10.012
I.Yonenaga, M.Sakurai, M.H.F.Sluiter, Y.Kawazoe, S.Muto. Atomistics structure and strain relaxation in Czochralski-grown SixGe1-x bulk alloys. J. Materials Science:Materials in Electronics 16 (2005) pp. 429-432. doi: 10.1007/s10854-005-2309-1
K.Tanaka, M.Suezawa, I.Yonenaga. Photoluminescence Spectra of Deformed Si-Ge alloy. J.Appl. Phys. 80 , 12 (1996) pp. 6991-6997
J.Weber, M.I.Alonso. Defect Control in Semiconductors, edited by K.Sumino (Elsevier Science, New York, 1990) p.1453.
I.Kurashvili, G.Darsavelidze, G.Bokuchava, I.Tabatadze, G.Chubinidze. Influence of Germanium and Boron Doping on Structural and Physical-Mechanical Characteristics of Monocrystalline Silicon . J. International Scientific Publications: Materials, Methods and Technologies. 8, ISSN 1314-7269. (2014). Pp. 298-302.
ი.ყურაშვილი, ტ.მელაშვილი, ნ. გოგოლაშვილი, გ.ჩუბინიძე, მ. ქადარია, დ.მხეიძე, გ.დარსაველიძე. მექანიკური პოლირების გავლენა მონოკრისტალური p-SiGe ფუძეშრეების ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე. Georgian Scientists/ ქართველი მეცნიერები, 4 #1, (2022) გვ.65-72. https://doi.org/10.52340/gs.2022.04.01.07
M.S. Blanter, I.S.Golovin, H.Neuhauser, H.-R.Sinning. Internal friction in metallic materials. A handbook. Springer Series in Materials Science. vol. 990, 2007, XVII, 539 p.
ი.ყურაშვილი, კ.შამათავა, ე.სანაია, გ.ჩუბინიძე, გ.დარსაველიძე. ალფა ნაწილაკებით დასხივების გავლენა შენადნობების p-SiGe ფუძეშრეების დინამიურ მექანიკურ თვისებებზე. Georgian Scientists/ ქართველი მეცნიერები, 5, #2, (2023) გვ.63-70. https://doi.org/10.52340/gs.2023.05.02.08
I. Kurashvili, G. Darsavelidze, T. Kimeridze, I.Tabatadze, T. Melashvili, A. Sichinava, G. Archuadze. Internal friction temperature spectra in electron-irradiated SiGe alloys. Bulletin of the Georgian National Academy of Sciences, vol. 13, no. 3, (2019) pp.43-49.
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
Categories
License
Copyright (c) 2024 ქართველი მეცნიერები
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
