Влияние высокопроводящих разупорядоченных областей на кинетику отжига радиационных дефектов в облученных высокоэнергетическими протонами кристаллах n-Si
Загрузки
Исследовались монокристаллы кремния n-типа (n-Si), полученные зонной плавкой, с концентрацией электронов n ≈ 6×1013 cм–3. Образцы облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Изохронный отжиг (ИО) облученных кристаллов производился в интервале температур Tann=110–500°C. Исследования образцов проводились методом Холла в интервале температур 77–300 К. В образцах n-Si, облученных высокоэнергетическими протонами, наблюдаемое немонотонное изменение концентрации электронов n в зависимости от температуры измерения Т объясняется изменением энергии ионизаций точечных радиационных дефектов (РД) под влиянием энергии электростатического взаимодействия es между различными РД. Осцилляционная зависимость холловской подвижности μH от температуры отжига и немонотонность кривых μH(Т) определяется существованием высокопроводящих разупорядоченных областей (РО) в облученных кристаллах n-Si, образованием электрического поля на границе раздела высокопроводящих РО с матрицей кристалла и немонотонностью изменения электрического потенциала U высокопроводящих РО в зависимости от зарядового состояния последних. Высокопроводящие РО полностью отжигаются в интервале температур Tann=380–500°C. Работа опысивает основные особенности изменения концентрации и подвижности основных носителей тока в облученных высокоэнергетическими протонами кристалла кремния n-типа в процессе изохронного отжига.
Скачивания
G. K. Werthein. Phys. Rev., 111, 1500 (1958).
J. H. Crawford, J. W. Clelend. J. Appl. Phys., 30, 1204 (1959).
B. R. Gossik. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959).
H. A. Ухин. ФТП, 6, 931 (1972).
В. И. Кузнецов, П. Ф. Луганов. ФТП, 13, 625 (1979).
В. И. Кузнецов, П. Ф. Луганов. ФТП, 14, 1924 (1980).
Л. С. Милевский, Т. М. Ткачева, Т. А. Пагава. ЖЭТФ, 9, 2132 (1975).
С. В. Безлюдный, Н. В. Колесников. ФТП, 10, 1964 (1976).
Т. А. Пагава, Л. С. Чхартишвили. УФЖ, 49, 1007 (2004).
Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе. ФТП, 5, 582 (2011).
Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе. ФТП, 46, 1274 (2012).
В. В. Емцев, Т. В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, Москва, Радио и связь (1981).
В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности, Москва, Наука (1990).
М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998).
Т. А. Пагава, Л. С. Чхартишвили. УФЖ, 48, 232 (2003).
Р. Ф. Коноплев, В. Л. Литвинов, Н. А. Ухин. Особенности повреждения полупроводников частицами высокой энергией, Москва, Атомиздат (1971).
Copyright (c) 2026 Georgian Scientists
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.
