ანოტაცია
შესწავლილია ალფა ნაწილაკებით დასხივების გავლენა p-SiGe შენადნობების (111) ორიენტაციის ფუძეშრეების ელექტროფიზიკურ და დინამიურ მექანიკურ მახასიათებლებზე. ექსპერიმენტული გაზომვებით ნაჩვენებია ელექტრული წინააღმდეგობისა და დენის მატარებელი ხვრელების კონცენტრაციის ცვლილებათა მეტად გამოვლინება გერმანიუმის მაღალი კონცენტრაციული შემცველობის p-Si+2%Ge:B ფუძეშრეებში. ალფა ნაწილაკებით დასხივებულ საცდელ ნიმუშებში ფიქსირებულია გრეხითი რხევების კრიტიკული ამპლიტუდური დეფორმაციისა და დრეკადობის ზღვრის სიდიდეების 1,5-1,8-ჯერ ამაღლება და ძვრის დინამიური მოდულის აბსოლუტური მნიშვნელობის 15%-ით გაზრდა. გამოთქმულია მოსაზრება, რომ ალფა ნაწილაკების დასხივებით ინდუცირებული რადიაციული წერტილოვანი დეფექტები p-SiGe შენადნობების კრისტალურ მესერში ქმნიან დისლოკაციების მოძრაობის დამამუხრუჭებელ დამატებით ცენტრებს და იწვევენ რადიაციული წარმოშობის დინამიურ მექანიკურ განმტკიცებას. განმტკიცების ეფექტი უფრო მეტად არის გამოვლენილი p-Si+2%Ge:B შენადნობის შემთხვევაში.
წყაროები
D.Y.Oliver, D.B.Lawn, R.F. Cook, M.G. Reitsma, I.E. Bradby, I.S. Williams, P.Munroe. J.Mater. Res. Vol. 23, #2 (2008), 297-301
I.Yonenaga, J.Materials, Science: Materials in Electronics, 10 (1999), 329-333.
D.Yang, X.Yu, X.Ma, Y.Xu, L. Li and D.Que. J. Cryst. Growth, 243 (2002) 371-376
J.Chen, D.Yang. X.Ma, Z.Zeng, D.Tian. L.Li, D. Que, L.Gong. J.Appl. Phys., 103, (2008), 123521-1-123521-6
C.A.Londos, A. Andrianakis, E.N. Sgorou, V.Emtsev, and H.Ohyama. J. Applied Phys, 107 (2010)093520-1- 093520-7.
ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .
საავტორო უფლებები (c) 2023 ქართველი მეცნიერები