ელექტრონებით დასხივების გავლენა მონოკრისტალური p-Si+2ატ%Ge შენადნობის ინდენტირებით ინდუცირებული დეფორმაციის მახასიათებლებზე
შესწავლილია 12 მევ ენერგიის ელექტრონებით დასხივებული p-ტიპის მონოკრისტალური Si+2ატ%Ge შენადნობის მიკროინდენტირების მახასიათებლების ცვლილებათა კანონზომიერებანი ვიკერსის ინდენტორზე მოდებული დატვირთვის 100-1250 მნ დიაპაზონში. საცდელი ნიმუშების (111) კრისტალოგრაფიული ორიენტაციის სიბრტყეები ხასიათდებიან დისლოკიაციების არაერთგვაროვანი განაწილებითა და სიმკვრივით 1∙104-5∙104სმ-2. კრისტალიზაციისა და მექანიკური პოლირების პროცესებში ჩასახული დისლოკაციების სიმრავლეები გავლენას ახდენენ რადიაციული დეფექტების ტიპებსა, კონცენტრაციასა და ურთიერთგარდაქმნის პირობებზე. აღნიშნული, რთული ხასიათის ცვლილებები დეფექტების ქვესისტემაში თავისებურად არიან ასახული სტრუქტურულად-მგრძნობიარე მექანიკურ თვისებებში, კერძოდ მიკროსისალესა და დრეკადობის მოდულში. ისინი მკაფიოდ არიან გამოვლენილი ინდენტირების ანაბეჭდების ფორმისა და ზომების, მათთან დაკავშირებული ბზარების ცვლილებებში. ინდენტირებით ინდუცირებული სტრუქტურული ცვლილებების საფუძველზე განისაზღვრა ბზარების წარმოქმნისა და სტრუქტურის რღვევის მახასიათებლები და გაანალიზებულია დისლოკაციური სტრუქტურის, Ge-ს ატომებთან ლოკალიზებული ძაბვებისა და რადიაციული დეფექტების წვლილი საცდელი p-Si+2ატ%Ge შენადნობის დეფორმაციაში.
Downloads
Metrics
No metrics found.
F.Schaffler. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, JnN, SiC, SiGe. John Wiley and Sons, New York, 2001
Z.Zeng. L.Wang, X.Ma, Sh.Qu, J.Chen, Y.Liu, D.Yang. J.Scripta Materiala, 64, (2011), 832-835
T.Kiriyama, H.Harada, J.W.Yan.J.Semiconductor Science Technology, 24, (2009), 025014.
L.I.Khirunenko, Yu.V.Pomozov, M.G.Sosnin, V.K.Shinkarenko, Oxygen in silicon doped with isovalent impurities, J.Physica B: Condensed Matter, Vol.273-274, (1999), p.317-321.
I.Yonenaga, T.Taishi, X.Huang, and K.Hoshikaura, Dynamic characteristics of dislocations in Ge-doped and (Ge+B) codoped silicon, J.Appl. Phys. 93, Issue 1, (2003), p.265-269.
N.A.Sobolev, Radiation effects in Si-Ge quantum size structure (Review), J.Semiconductors 47, (2013), p.217–227.
F.Ebrahimi,L.Kalwani, J.Materials Science and Engineering, A268, (1999), 116-126.
საავტორო უფლებები (c) 2024 ქართველი მეცნიერები
ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .
