ელექტრონებით დასხივების გავლენა სტრუქტურულ ფაზურ გარდაქმნებზე n-Si-ის მიკროინდენტირების პროცესში
PDF (English)

საკვანძო სიტყვები

მონოკრისტალური სილიციუმი
ვიკერსის ინდენტორი
ელექტრონებით დასხივება
საკონტაქტო წნევა
დრეკადობის მოდული

როგორ უნდა ციტირება

დარსაველიძე გ., სიჭინავა ა., შამათავა კ., ქადარია მ., & აბრამიშვილი რ. (2023). ელექტრონებით დასხივების გავლენა სტრუქტურულ ფაზურ გარდაქმნებზე n-Si-ის მიკროინდენტირების პროცესში. ქართველი მეცნიერები, 5(2), 41–48. https://doi.org/10.52340/gs.2023.05.02.06

ანოტაცია

შესწავლილია მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივების გავლენა (111) ორიენტაციის n-Si-ის სტრუქტურულ ცვლილებებზე ვიკერსის მეთოდით მიკროინდენტირების პროცესში. ნაჩვენებია, რომ 1.1013 სმ-2 ფლუენსის ელექტრონებით დასხივება იწვევს დრეკადობის მოდულისა და პლასტიკური დეფორმაციის გამომწვევი საშუალო საკონტაქო წნევის სუსტად ზრდას. ინდენტორის დატვირთვა-გადაადგილების ფუნქციონალურ დამოკიდებულებების განტვირთვის უბანზე ერთდროულად გამოვლენილია ბაქანი და დახრილობის თანდათანობითი ცვლილება. აღნიშნული ცვლილებები დამახასიათებელია ნაწილობრივი ამორფიზაციისა და სტრუქტურული გარდაქმნებისათვის სილიციუმის მეტასტაბილურ ფაზებში. ელექტრონებით დასხივება ავლენს ფაზური გარდაქმნების კრიტიკული წნევების ამაღლების ტენდენციას საშუალო საკონტაქტო წნევის 4-5,5 გპა დიაპაზონში.

https://doi.org/10.52340/gs.2023.05.02.06
PDF (English)

წყაროები

J.C Jamieson J.Science, 139 (1963), 762-766.

J.Z.Hu, L.D.Merkle, C.S.Menoni and J.L.Spain. J.Phys. Rev., B34 U.T(1986), 4679-4683.

J.Crain, G.J.Ackland, J.R.Maclean, R.O.Piltz, P.D.Hatton and G.S.Pawley J.Phys Rev., B50 (1994), 1304313047.

R.O.Piltz, J.R.Macklean, S.J.Clark, G.J.Ackland, P.D.Hatton and J.Grain J.Phys. Rev., B52 (1995), 4072-4076.

A.Kailer, Y.G.Gogotsi and K.G.Nickel. I.Appl. Phys., 81 (1997), 3057-3064.

U.T.Yin and U.L.Cohen.I.Phys.Rev., B26 (1982), 5668-5674.

I.S.Kasper and S.H.Richards. I.Acta Crystall., 17 (1964), 752-757.

V.Domnich and Y.Gogotsi. I.Rev.Adv.Mater.Sci., 3 (2002), 1-36.

A.D.Sidiropoulos, E.Harea, A.A.Konstantinidis and E.C.Aifantis I.Mech. Behau Mater., 26(1-2),(2017), 65-71.

T.Juliano, Y.Gogotsi, and V.Domnich. J.Mater.Res., Vol.18,N5,2003, 1192-1201.

U.Zelenak, J.Valesek, S.Hloch.I.Metallurgiya, 51,3,2012, 309-312.

C.R.Das,S.Dhara, Yeau-Ren Jeng, H.C.Hsu, K.H.Chen. I.Appl. Phys.Letters, 96,2010, 253113-1-253113-3.

Li Chang, Liangehi Zhang. J.Materials Science and Engineering A506, 2009, 125-129.

R.Abram, D.Chrobak and R.Now-ar. J.Phys. Rev. Letters, 118, 2017, 095502-1-095502-5.

Z.Zeng, Lin Wang, K.Ma, and Deren Yang. I.Scripta Materialla, 64, 2014, 832-835.

Creative Commons License

ეს ნამუშევარი ლიცენზირებულია Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 საერთაშორისო ლიცენზიით .

Downloads

Download data is not yet available.

Metrics

Metrics Loading ...