ალფა ნაწილაკებით დასხივების გავლენა p-SiGe შენადნობების ფუძეშრეების დინამიურ მექანიკურ თვისებებზე

ავტორები

შესწავლილია ალფა ნაწილაკებით დასხივების გავლენა p-SiGe შენადნობების (111) ორიენტაციის ფუძეშრეების ელექტროფიზიკურ და დინამიურ მექანიკურ მახასიათებლებზე. ექსპერიმენტული გაზომვებით ნაჩვენებია ელექტრული წინააღმდეგობისა და დენის მატარებელი ხვრელების კონცენტრაციის ცვლილებათა მეტად გამოვლინება გერმანიუმის მაღალი კონცენტრაციული შემცველობის p-Si+2%Ge:B ფუძეშრეებში. ალფა ნაწილაკებით დასხივებულ საცდელ ნიმუშებში ფიქსირებულია გრეხითი რხევების კრიტიკული ამპლიტუდური დეფორმაციისა და დრეკადობის ზღვრის სიდიდეების 1,5-1,8-ჯერ ამაღლება და ძვრის დინამიური მოდულის აბსოლუტური მნიშვნელობის 15%-ით გაზრდა. გამოთქმულია მოსაზრება, რომ ალფა ნაწილაკების დასხივებით ინდუცირებული რადიაციული წერტილოვანი დეფექტები p-SiGe შენადნობების კრისტალურ მესერში ქმნიან დისლოკაციების მოძრაობის დამამუხრუჭებელ დამატებით ცენტრებს და იწვევენ რადიაციული წარმოშობის დინამიურ მექანიკურ განმტკიცებას. განმტკიცების ეფექტი უფრო მეტად არის გამოვლენილი p-Si+2%Ge:B შენადნობის შემთხვევაში.

ამ ავტორ(ებ)ის ყველაზე წაკითხვადი სტატიები

მსგავსი სტატიები

1 2 3 4 > >> 

თქვენ ასევე შეგიძლიათ მსგავსი სტატიების გაფართოებული ძიების დაწყება ამ სტატიისათვის.